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2013年，隨著智能機(jī)平板市場繼續(xù)走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴(yán)重，存儲器件的供應(yīng)在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢態(tài)嗎？2013年智能機(jī)平板電腦超極本平臺廠商發(fā)力重點(diǎn)在哪里？如何實(shí)現(xiàn)差異創(chuàng)新？透過第二屆NAND Flash應(yīng)用高峰論壇，本土存儲器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，共同應(yīng)對存儲挑戰(zhàn)，推進(jìn)智能機(jī)平板創(chuàng)新。
圖1 高峰論壇現(xiàn)場
本次高峰論壇與2012年首屆高峰論壇一樣，以NAND Flash應(yīng)用為核心，聚合了智能手機(jī)、平板電腦和超極本產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商，參與演講嘉賓分別來自集邦科技、東芝、博通、Marvell、英特爾、華為、瑞芯微、深圳品網(wǎng)科技和BIWIN集團(tuán)，他們分別分析了存儲器件市場走勢與技術(shù)發(fā)展趨勢、智能手機(jī)平板電腦超極本平臺發(fā)展趨勢，分享了差異創(chuàng)新的思路，300多位參會觀眾深感受益匪淺。
2013年，存儲器件會整年缺貨嗎？該如何應(yīng)對？
圖2 BIWIN集團(tuán)董事長孫日欣認(rèn)為存儲器件不會整年處于缺貨狀態(tài)
2013年以來，智能手機(jī)、平板電腦廠商都或多或少遭遇存儲器件缺貨，甚至有人斷言2013年整年存儲器件都將缺貨，對此，BIWIN集團(tuán)董事長孫日欣指出：“存儲器件目前已成智能手機(jī)平板電腦關(guān)鍵組件，直接關(guān)系整機(jī)的成本，而縱觀Flash的發(fā)展，其每次工藝的變化都會帶來新的應(yīng)用商機(jī)，能最早解決新產(chǎn)品應(yīng)用的企業(yè)，無疑會為公司帶來更好的利潤。BIWIN認(rèn)為存儲器件在2013年的長期短缺不太可能，不過上半年可能會經(jīng)歷比較大的缺貨�！�
集邦科技記憶體與存儲事業(yè)部協(xié)理?xiàng)钗牡迷凇?013 NAND Flash市場展望》演講中指出，從供需來看，2013年全球閃存市場營收會增長25億美元，達(dá)到250億美元規(guī)模，同時(shí)，研究顯示，2013年的閃存供需基本平衡，供應(yīng)增長還略高于需求2個(gè)百分點(diǎn)。
圖3 2013年 NAND Flash市場供需分析
但是，為什么在終端應(yīng)用市場，存儲器件會有如此大的波動呢？孫日欣分析這是因?yàn)榻K端發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于存儲器件的產(chǎn)能增長，“智能機(jī)平板電腦市場今年的增長可能會達(dá)到200%，而Flash產(chǎn)能擴(kuò)增也就是30%左右，這中間的差距太大了，導(dǎo)致市場供需失衡�！彼赋�，“目前，三星基本自己供應(yīng)自己的產(chǎn)品，只有東芝和美光對外供應(yīng)，所以雖然宏觀上平衡，但到微觀市場出現(xiàn)失衡�！�
圖4 閃存市場三國爭霸局面
楊文得指出，目前閃存市場是三國爭霸局面，由于閃存工藝升級很快，廠商需要投入大量的財(cái)力維持產(chǎn)能，去年閃存價(jià)格一直處于下跌，生產(chǎn)廠商苦不堪言，廠商需要基本的利潤維持，所以東芝還將產(chǎn)能調(diào)低30%，由此看來，2013年的存儲供應(yīng)短缺將呈現(xiàn)常態(tài)化，他預(yù)測今年第三季第四季還將出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。
不過，作為本土eMMC和eMCP主要供應(yīng)商，孫日欣認(rèn)為由于BIWIN和全球兩大Flash供應(yīng)商東芝和美光保持著長久緊密的合作，是其最重要的客戶，而且BIWIN早已制定了應(yīng)對短缺的策略，所以，BIWIN的eMCP和eMMC產(chǎn)能相對充足，可以確保供應(yīng)�！拔覀兊膃MCP 是國內(nèi)第一個(gè)量產(chǎn)的，目前已經(jīng)在和多個(gè)手機(jī)平臺進(jìn)行配套驗(yàn)證，很快采用我們eMCP 的智能手機(jī)就要面市了�！睂O日欣強(qiáng)調(diào)�！拔覀儎偤蜄|芝高層進(jìn)行了接觸，在供應(yīng)方面可以有保障。”
孫日欣透露，BIWIN已經(jīng)在研發(fā)最新的POP封裝技術(shù)，會把存儲器件和更多其他器件封裝在一起，這樣可以為最新的小型化設(shè)備如類似iWatch、可穿戴式設(shè)備提供支持�！拔覀儠粩嗤顿Y新技術(shù)，關(guān)注新技術(shù)的發(fā)展，努力保持技術(shù)領(lǐng)先性�！睂O日欣表示。“BIWIN舉辦此次高峰論壇的初衷也是希望通過這樣的論壇為系統(tǒng)廠商設(shè)計(jì)人員帶來思維的沖擊和價(jià)值的參考，也希望通過這次論壇推動產(chǎn)業(yè)鏈的升級�！皩τ诒就疗髽I(yè)來說，做低端只能糊口做高端才能發(fā)展，不能總在垃圾中找吃的。”他精辟地概括。
Nand Flash與DRAM技術(shù)未來將如何發(fā)展？
圖5 東芝半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部存儲應(yīng)用技術(shù)經(jīng)理康敏宣分析NAND Flash未來發(fā)展
如今半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展，作為存儲中堅(jiān)的NAND Flash和DRAM技術(shù)未來將如何發(fā)展？NAND Flash發(fā)明者東芝半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部存儲應(yīng)用技術(shù)經(jīng)理康敏宣獨(dú)家披露了未來發(fā)展戰(zhàn)略。
首先他認(rèn)為NAND Flash未來的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒏油貜V，“估計(jì)今年的NANDFlash總需求量會達(dá)到600億GB�！彼赋�，“除了在手機(jī)平板超極本領(lǐng)域應(yīng)用外，汽車電子、服務(wù)器的應(yīng)用也很大。”
他表示東芝的策略是不斷開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)來提升產(chǎn)能，緩解供應(yīng)壓力。如東芝是第一家推出19nm產(chǎn)品的公司，“未來，隨著工藝技術(shù)發(fā)展，東芝的發(fā)展方向是兩個(gè)，一個(gè)是大容量存儲，如19nm工藝產(chǎn)品，不過這個(gè)往下發(fā)展難度很大，所以，東芝會在明后年推出POST-NAND的產(chǎn)品，也就是3D NAND產(chǎn)品，接下來是POST-POST NAND。另個(gè)方向是東芝會投資發(fā)展磁阻內(nèi)存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技術(shù)， 它將替代現(xiàn)在的DRAM，磁阻內(nèi)存和DRAM內(nèi)存采用了完全不同的原理。DRAM內(nèi)存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進(jìn)行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內(nèi)容不丟。而磁阻內(nèi)存的存儲原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個(gè)非磁金屬層或絕緣層來夾持一個(gè)金屬導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導(dǎo)體的磁致電阻就會發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會變小，反之亦然。
他最看好的明星產(chǎn)品是自旋扭矩轉(zhuǎn)換(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“現(xiàn)在手機(jī)中的DRAM，斷電后不能保存資料，而且功耗很高，但MRAM沒有這個(gè)問題，而且它的讀寫速度非�？�，而且理論上它的讀寫刷新是無限的，所以我們非�？春眠@款產(chǎn)品，我們希望用MRAM代替現(xiàn)在的DRAM�！彼赋�。
另外他特別強(qiáng)調(diào)東芝的所有NAND Flash產(chǎn)品都在日本巖手縣有的第五座NAND型閃存(Flash)工廠生產(chǎn)，以確保向市場提供可靠穩(wěn)定的產(chǎn)品。
